Оперативная памяти типа DDR собрана по стандартам DIMM , который собственно является ее предшественником. Информация может передаваться и по фронту и по спаду благодаря тому, что платформа оснащена микросхемами и транзисторами собранными в TSOP BGA . Информация может передаваться в двойном размере за один такт, все благодаря внедрению новой архитектуры компьютеров 2n Prefetch.

Среди компьютерных технологий, постоянно появляется что-то новое. Теперь микросхемы для модулей типа DDR3 изготавливаются исключительно в корпусах вида BGA . Благодаря этому удалось улучшить транзисторы и появились модели, обладающие двойным затвором.

Особенности памяти DDR3

Планки оперативной памяти бывают от 1 гигабайта до 16 гигабайт, а частота памяти может варьироваться от 100 до 300 МГц. Если говорить о шине, то от 400 до 120 МГц .

Более-менее нормальное значение частоты шины 1066 – 1600 МГц . Если она увеличивается, то и потребление энергии вместе с ней. Если частота будет 2400, то планки нагреются и будут очень горячими. Чтобы этого не было — устанавливается пассивное охлаждение .

Еще потребление энергии может возрасти, если будет разгоняться компьютер. Это происходит благодаря преобразованиям, используемым внутри планок DDR3 напряжения Vddr.

В структуре памяти этого вида находится 8 банков памяти , а строка ее чипа величиной 2048 байт . Это строение влечет за собой приличные тайминги в работе ОЗУ и снижает скорость переключения между чипами.

Конструкция планок DDR3L практически не отличается от DDR3. Они также оснащены 240 контактами и обладают такими же размерами, кроме высоты.

Также, данный вид оснащен системой пассивного охлаждения, что позволяет ее разгонять , увеличивает производительность, так как повышается потребление энергии. Модуль памяти не выйдет из строя раньше, чем положено, так как тепло будет рассеиваться и не произойдет перегрев.

Стоит отметить, что с 2012 года на рынке можно встретить модификации этой памяти, разработанные для смартфонов DDR3L-RS.

В маркировке памяти, L – это Low , то есть, низкое потребление энергии. В отличии от DDR3 данный вид памяти требует источник, напряжение которого 1,35 В. Это на 10-15% меньшем чем DDR3 и на 40% меньшем чем DDR2. Благодаря тому, что тепла выделяется меньше, то и пассивное охлаждение не нужно, а это сокращает тайминги и делает работу стабильнее и производительнее. Все остальные характеристики ничем не отличаются от DDR3.

DDR3L нельзя заменить на DDR3 т.к. установка в слот для первого типа приведет к несовместимости и запуск не произойдет. Но в обратном порядке возможна замена, однако плата может нагреваться, так как DDR3 требует больше энергии.

В чем отличие DDR3 и DDR3L

Как мы уже и говорили, DDR3L отличается размерами , но незначительно. Далее она потребляет меньше энергии на 15 процентов и выделяет мало тепла. Благодаря этому производительность намного больше, а тайминги меньше. Работает этот тип стабильнее и в разы быстрее.

Оперативное запоминающее устройство, или ОЗУ, - это микросхемы для оперативного или временного хранения информации . Информация в ОЗУ сохраняется, пока на микросхему подается питание. При отключении питания информация теряется. Введи здесь текст

В англоязычной технической литературе такие устройства называют RAM - Random Access Memory, или памятью произвольного доступа.

Статические и динамические ОЗУ

Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны - когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.

Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный - 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.

Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят - регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM - Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса - переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей - печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа - SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module - означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM - модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез - ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти - объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency - задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько - иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются , используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 - частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП . Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой - закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается .

• DDR - 2, 5 В.
• DDR2 - 1, 8 В.
• DDR3 - 1, 5 В.
• DDR4 - 1, 2 В.

В чем отличие DDR3 и DDR3l

На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L - это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.

DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот - нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.

Приветствую! На днях коллега решил порадовать свой ноутбук плашкой оперативной памяти… и добавив дополнительные 4 гигабайта для комфортной игры в столкнулся с тем, что ноутбук просто не включился. Как вы поняли из названия заметки — человек приобрел несовместимые модули, ну а мне остается вам написать о разнице между DDR3L и простой DDR3.

Важно: если вы хотите проапгрейдить свой компьютер или ноутбук — поможет поможет вам точно определить тип установленной ОЗУ

А кто ее знает?! Типичный прогресс — популяризация ноутбуков заставила производителей создавать более энергоэффективные модули памяти, которые будут очень эффективны в портативных компьютерах где каждый лишний ватт энергии некуда деть и вызывает проблемы с перегревом…

Чем отличается DDR3 от DDR3L

Созрели прокачать свой компьютер или ноутбук? — Не проблема… полезли в интернет магазин и столкнулись с ситуацией когда на рынке есть DDR3 и еще непонятный DDR3L. Что это за новый стандарт и чем он отличается от обычной DDR3?

Отличие DDR3L от DDR3 в рабочем напряжении. DDR3L работает на пониженном напряжении 1.35v против 1.5v в классической DDR3.

Благодаря снижению напряжения модули памяти меньше нагреваются и потребляют меньше энергии, что благоприятно сказывается на времени автономной работы портативных компьютеров.

Если вы сомневаетесь в типе выбранной вами памяти (например на скриншоте сверху не совсем понятно DDR3L там или обычная) , то смотрите на маркировку напряжения. Если 1.5v — обычная DDR3, а если 1.35v как на картинке выше — то DDR3L

Совместимость модулей DDR3 и DDR3L

Теперь самое важное — совместимы ли они между собой? Ситуация такая:

• Модуль DDR3L будет работать в любом DDR3 слоте
• Модуль DDR3 будет работать только в разъеме DDR3

…получается что новый стандарт DDR3L работает и в старых и новых платах (узнайте ) , однако старые модули DDR3 не запустятся на относительно свежих материнских платах оборудованные DDR3L слотами.

Важно. Никто вам не даст 100% гарантии совместимости вашей системы с тем или иным модулем памяти. Даже если вы все сделали по уму и подобрали совместимые комплектующие присутствует небольшой риск несовместимости конкретной этой плашки (особенно актуально если вы добавляете к уже существующей оперативке, достаточно часто модули отлично работают раздельно и не стартуют если установить их в паре)

Итоги

Теперь у вас есть понимание разницы между DDR3L и DDR3 (а так же выяснили вопросы про совместимость) . Не стоит забывать что все это работает при единичных случаях когда в системе не используется другой модуль памяти…

Если к обычному DDR3 добавить еще одну плашку DDR3L то высока вероятность что компьютер не запустится — всегда старайтесь выбирать точно такую же оперативную память (если такой возможности нет — ищите с максимально похожими параметрами)!

Большая часть компьютерных составляющих являются настолько сложными, что разобраться с тем, чтоони собой представляют, порой не могут даже более-менее продвинутые пользователи. Некоторые нюансы связаны также и с такими понятиями, как: DDR3 и DDR3L.

Под словами DDR, главным образом подразумевают такой тип компьютерной памяти, который массово используется в вычислительной технике в роли оперативной, либо-же видеопамяти. В настоящий момент времени предусмотрено сразу-же несколько разновидностей этой компьютерной составляющей.Некоторое время тому назад, активно пользовались DDR2, об существование которой, заявили в далеком 2003 году. В качестве некой основы, здесь используется передача данных по обоим срезам тактового сигнала. Именно благодаря ему, можно удвоить скорость передачи данных. Этот параметр объединяет его вместе с намного менее востребованными DDR1. Ну а вот тем параметром, который их между собой отличает является то, что работает новый тип памяти на частоте, что вдвое больше стандартной.

При всем этом, для того, чтобы существовала возможность обеспечить достаточно большой поток данных, их передача на шину, в одно и то самое время, осуществляется сразу-же из четырех мест. В настоящий момент времени, наиболее продвинутым стандартом памяти считается DDR3, об существование которого, впервые упомянули в 2010 году.

DDR3, являет собой синхронную динамическую память, которая имеет возможность похвастаться наличием произвольного доступа и удвоенной скоростью передачи данных, соответственно, этот тип памяти, относится к третьему поколению. В случае с ней, размер предпокачки увеличивается с 4 до 8 бит, что довольно таки существенно, согласитесь ведь. Его отличительной особенностью является то, что в случае с ней, потребление энергии является гораздо меньше, нежели в случае с модулями,присутствующими в DDR2. Обуславливается такое положение дел тем, что в DDR3, такой показатель составляет 1,5 В.


Возможно некоторым из вас это покажется весьма странноватым, но снижение напряжения питания, имеет место быть, благодаря тому, что в DDR3, предусмотрен уникальный техпроцесс, ключевым этапом которого должно считаться применение транзисторов, располагающих двойным затвором Dual-gate. Последний, кстати говоря, способствует существенному снижению токов утечки. Микросхемы производятся только в тех корпусах, которые принадлежат к типу BGA. Самой маленькой емкостью модулей памяти DDR3, должно составлять не меньше 1 Гб . Что касается максимальной емкости, то она гораздо выше, так как составляет 16 ГБ.

Помимо стандартной разновидности данного типа памяти, известно об существование DDR3L, в случае с которым,предусмотрен намного более низкий показатель напряжения. В нем этот показатель равняется 1,35 В. Ну а это, меньше традиционного для DDR3 на 10%.


В частности хотелось бы остановится на DDR3L. Преимущественное большинство производителей,ответственных за изготовление памяти такого типа, делают свой товар таким образом, чтобы он состоял из двух модулей. Каждый из них поставляется в отдельном пластиковом пакете, который в свою очередь, обеспечивает их надежную защиту от возможного пробоя статического электричества. Кстати говоря, для того, чтобы все прошло должным образом, вам следовало бы предусмотреть то, что вовремя осуществления установки соответствующих модулей, необходимы сделать все возможное для того, чтобы предотвратить разряд статического электричества.

Некоторые отличия предусмотрены также и в их маркировки . Так, к примеру, в случае с DDR3L, памятью для персональных компьютеров,будет использована маркировка PC3L . Принято считать, что этот стандарт, способен обеспечить более низкое энергопотребление и ввиду того, что сейчас в моду вошла экологичность, нету ничего удивительного в его необыкновенной популярности.

Чем отличаются типы оперативной памяти DDR3 и DDR3L?

Для того, чтобы подытожить все вышесказанное, считаем должным отметить то, что главное отличие двух этих типов памяти, сводится к их таймингам . Кроме этого, отличаются они также и своим стандартным напряжением. Так, в том случае, если у DDR3 этот показатель составляет 1.5 Вольта, то в DDR3L он снижен уже до 1.35 Вольта. Не следовало бы путать эти понятия также и с DDR3U, в котором предусмотрено сразу-же 1.25 Вольта.